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亚游智能游戏机数码电子:TSMC的7纳米+工艺将于
新闻来源:dede58.com   添加时间:2019-03-01 19:10   浏览次数:

晶圆代工行业的领导者TSMC继续推进先进的制造工艺。 第一个使用极紫外( EUV )光刻技术的7 +纳米芯片已经完成了剥离,支持多达4层EUV掩模。 台积电还加速了5纳米工艺的发展。 预计该公司将于明年4月开始风险试生产。 支撑的EUV光掩模将具有14层。预计5纳米工艺将如期在2020年上半年进入批量生产。

设备制造商认为,台积电继续推进先进的晶圆制造工艺,并引入了先进的封装技术,可以集成各种异质芯片。韩国最大的竞争对手三星在不久的将来可能无法与台积电竞争。从这个角度来看,苹果将在未来两年推出的7 + nm A13和5 nm A14应用处理器预亚游智能游戏机数码电子计将继续收到台积电独家OEM订单。

台积电7nm+工艺明年Q2量产 5纳米可望在2020年上半年进入量产

随着台积电7纳米产能的不断提高和产量的提高,台积电首个采用EUV技术的7 +纳米工艺已经开发并投入试生产。与7 nm相比,TSMC具有更低的功耗性能和更高的集成密度。客户第一个芯片的设计在第三季度初成功完成。预计更多的客户芯片将在年底前完成设计,并在明年第二季度后顺利进入批量生产。届时,台积电将成为世界上第一家将EUV技术用于大规模生产的晶圆生产工厂。

此外,台积电新推出的12英寸Fab 18是台湾科技产业的最高投资,希望在年底前完成项目的第一阶段。明年它将开始安装设备,第二阶段的建设已经开始。台积电的5纳米研发进度略超前于计划。预计客户第一个芯片的设计将在明年上半年完成。预计它将于明年4月开始风险试生产。从进展情况来看,2020年上半年进入大规模生产没有太多问题。。

为了适应先进工艺小型化和异构芯片集成的趋势,台积电继续为先进封装工艺的布局添加代码。除了集成10纳米逻辑芯片和DRAM的集成扇出堆叠封装( InFO-PoP )以及集成12纳米系统单芯片和8层HBM2存储器的CoWoS封装之外,所有这些都已进入大规模生产。 集成扇出和衬底封装( InFO-oS )、集成扇出存储器衬底封装( InFO-MS )和集成扇出天线封装( InFO-AIP )等新技术也被引入,以满足未来人工智能、高性能计算、5G通信等领域的不同市场需求。

面对三星持续订购22纳米完全耗尽绝缘体上硅( FD-SOI )工艺,台积电优化的28纳米22纳米超低功耗( ULP )工艺已经进入试生产阶段,40多种客户产品已经完成设计决策,明年将顺利进入批量生产。ULP流程预计将在明年上半年获得客户芯片设计决策。

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